买卖IC网 >> 产品目录 >> TGF2018 射频GaAs晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

TGF2018

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频GaAs晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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制造商 TriQuint Semiconductor
技术类型 pHEMT
频率 20 GHz
增益 14 dB
噪声系数 1 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 70 mS
漏源电压 VDS 8 V
闸/源击穿电压 - 15 V
漏极连续电流 58 mA
最大工作温度 + 150 C
功率耗散 0.64 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体
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属性
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TGF2021-02
TGF2021-04
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